2026年04月25日 星期六
用于直接觀察導(dǎo)電、不導(dǎo)電樣品的表面形貌。用于金屬、半導(dǎo)體、電介質(zhì)、多層膜結(jié)構(gòu)等固體樣品上制備微納結(jié)構(gòu)。離子束刻蝕、離子束沉積、電子束沉積。高質(zhì)量定點(diǎn)TEM樣品制備。同時(shí)配有納米操作手、能譜儀，可以實(shí)現(xiàn)操縱和能譜分析。電子束成像分辨率0.8 nm，離子束成像分辨率4 nm，加工精度5 nm。
